FQB3N30TM est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour FQB3N30TM, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour FQB3N30TM par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez FQB3N30TM avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
FQB3N30TM
- Modèle de produit:
- FQB3N30TM
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 43457 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- FQB3N30TM.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | D²PAK (TO-263AB) |
| Séries: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.2 Ohm @ 1.6A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 3.13W (Ta), 55W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 230pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 300V |
| Description détaillée: | N-Channel 300V 3.2A (Tc) 3.13W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 3.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes FQB3N30TM
Latest Nouvelles
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement
- Vishay lance un emballage minileur à haute luminosité petite LED bleu et vert pur
- Ansonmei a lancé un capteur de position inductif pour le marché industriel et des transports
- Ruisa démarre l'ancienne usine pour augmenter le dispositif d'alimentation, le tremblement de terre affecte la sortie DRAM douce
- Microchip permet la capacité de production du TSMC et augmente les augmentations de prix