FJV4110RMTF
Modèle de produit:
FJV4110RMTF
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
23881 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.FJV4110RMTF.pdf2.FJV4110RMTF.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type:PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur:SOT-23-3 (TO-236)
Séries:-
Résistance - Base (R1):10 kOhms
Puissance - Max:200mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:200MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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