FDS6961A_F011
FDS6961A_F011
Modèle de produit:
FDS6961A_F011
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
21446 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
FDS6961A_F011.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Package composant fournisseur:8-SO
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:90 mOhm @ 3.5A, 10V
Puissance - Max:900mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:220pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:4nC @ 5V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.5A
Email:[email protected]

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