FDC3601N
FDC3601N
Modèle de produit:
FDC3601N
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
59726 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
FDC3601N.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Package composant fournisseur:SuperSOT™-6
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:500 mOhm @ 1A, 10V
Puissance - Max:700mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Autres noms:FDC3601N-ND
FDC3601NTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:153pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:5nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1A
Email:[email protected]

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