FD6M016N03
FD6M016N03
Modèle de produit:
FD6M016N03
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET 2N-CH 30V 80A EPM15
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
20687 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
FD6M016N03.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Package composant fournisseur:EPM15
Séries:Power-SPM™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.6 mOhm @ 40A, 10V
Puissance - Max:-
Emballage:Tube
Package / Boîte:EPM15
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:11535pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:295nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 80A Through Hole EPM15
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:80A
Email:[email protected]

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