EMH1T2R
EMH1T2R
Modèle de produit:
EMH1T2R
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
30685 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.EMH1T2R.pdf2.EMH1T2R.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:EMT6
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):22 kOhms
Résistance - Base (R1):22 kOhms
Puissance - Max:150mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-563, SOT-666
Autres noms:EMH1T2R-ND
EMH1T2RTR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:250MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:56 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:*MH1
Email:[email protected]

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