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DTDG14GPT100
- Modèle de produit:
- DTDG14GPT100
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 36633 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.DTDG14GPT100.pdf2.DTDG14GPT100.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 400mV @ 5mA, 500mA |
| Transistor Type: | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur: | MPT3 |
| Séries: | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 10 kOhms |
| Puissance - Max: | 2W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-243AA |
| Autres noms: | DTDG14GPT100TR |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 80MHz |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 60V 1A 80MHz 2W Surface Mount MPT3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 300 @ 500mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 1A |
| Numéro de pièce de base: | DTDG14 |
| Email: | [email protected] |
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