DTD114EKT146
DTD114EKT146
Modèle de produit:
DTD114EKT146
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
29326 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.DTD114EKT146.pdf2.DTD114EKT146.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:SMT3
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):10 kOhms
Résistance - Base (R1):10 kOhms
Puissance - Max:200mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:DTD114EKT146TR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:200MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:56 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):500mA
Numéro de pièce de base:DTD114
Email:[email protected]

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