DTA123ECAT116
DTA123ECAT116
Modèle de produit:
DTA123ECAT116
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
55223 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.DTA123ECAT116.pdf2.DTA123ECAT116.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur:SST3
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):2.2 kOhms
Résistance - Base (R1):2.2 kOhms
Puissance - Max:200mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:DTA123ECAT116CT
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:250MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:20 @ 20mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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