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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > DSK10C-ET1
DSK10C-ET1
DSK10C-ET1
Modèle de produit:
DSK10C-ET1
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
45171 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
DSK10C-ET1.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Inverse de crête (max):Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1A
Tension - Ventilation:-
Séries:-
État RoHS:Tape & Reel (TR)
Temps de recouvrement inverse (trr):Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F:-
Polarisation:R-1 (Axial)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:DSK10C-ET1
Description élargie:Diode Standard 200V 1A Through Hole
Configuration diode:10µA @ 200V
La description:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Courant - fuite, inverse à Vr:1.1V @ 1A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):200V
Capacité à Vr, F:150°C (Max)
Email:[email protected]

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