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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > DRA3115G0L
DRA3115G0L
DRA3115G0L
Modèle de produit:
DRA3115G0L
Fabricant:
Panasonic
La description:
TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
23429 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
DRA3115G0L.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur:SSSMini3-F2-B
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):100 kOhms
Puissance - Max:100mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-723
Autres noms:DRA3115G0L-ND
DRA3115G0LTR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:11 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 100mW Surface Mount SSSMini3-F2-B
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:DRA3115
Email:[email protected]

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