DMN63D8LDW-13
DMN63D8LDW-13
Modèle de produit:
DMN63D8LDW-13
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
43548 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
DMN63D8LDW-13.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Package composant fournisseur:SOT-363
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Puissance - Max:300mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms:DMN63D8LDW-13DI
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:22pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:870nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 220mA 300mW Surface Mount SOT-363
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:220mA
Email:[email protected]

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