DG1411EN-T1-GE4 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour DG1411EN-T1-GE4, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour DG1411EN-T1-GE4 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez DG1411EN-T1-GE4 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
DG1411EN-T1-GE4
- Modèle de produit:
- DG1411EN-T1-GE4
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- IC SWITCH QUAD SPST 16QFN
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 55634 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- DG1411EN-T1-GE4.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Alimentation en tension, simple (V +): | 4.5 V ~ 24 V |
| Alimentation en tension, double (V ±): | ±4.5 V ~ 15 V |
| Heure de commutation (Ton, Toff) (Max): | 150ns, 120ns |
| Circuit de commutation: | SPST - NC |
| Package composant fournisseur: | 16-QFN (4x4) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 16-VQFN Exposed Pad |
| Autres noms: | DG1411EN-T1-GE4TR |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Résistance à l'état (Max): | 1.8 Ohm |
| Nombre de circuits: | 4 |
| Circuit multiplexeur / démultiplexeur: | 1:1 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | 4 Circuit IC Switch 1:1 1.8 Ohm 16-QFN (4x4) |
| Courant - Fuite (IS (désactivé)) (Max): | 550pA |
| Crosstalk: | -100dB @ 1MHz |
| Injection de charge: | -20pC |
| Correspondance Channel-to-Channel (ΔRon): | 80 mOhm |
| Capacité de canal (CS (désactivé), CD (désactivé)): | 11pF, 24pF |
| Numéro de pièce de base: | DG1411 |
| bande de -3 dB: | 210MHz |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes DG1411EN-T1-GE4
Latest Nouvelles
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement
- Vishay lance un emballage minileur à haute luminosité petite LED bleu et vert pur
- Ansonmei a lancé un capteur de position inductif pour le marché industriel et des transports
- Ruisa démarre l'ancienne usine pour augmenter le dispositif d'alimentation, le tremblement de terre affecte la sortie DRAM douce
- Microchip permet la capacité de production du TSMC et augmente les augmentations de prix