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DBD10G-E
- Modèle de produit:
- DBD10G-E
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- BRIDGE RECT 1A 600V 4DIP
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 41843 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- DBD10G-E.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Inverse de crête (max): | 600V |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.05V @ 500mA |
| La technologie: | Standard |
| Package composant fournisseur: | - |
| Séries: | - |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Autres noms: | DBD10G-EOSCT |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Single Phase |
| Description détaillée: | Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 10µA @ 600V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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