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DB106G
- Modèle de produit:
- DB106G
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- DIODE BRIDGE 800V 1A DB
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 40523 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.DB106G.pdf2.DB106G.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Inverse de crête (max): | 800V |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.1V @ 1A |
| La technologie: | Standard |
| Package composant fournisseur: | DB |
| Séries: | - |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
| Autres noms: | DB106GGN |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 4 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Single Phase |
| Description détaillée: | Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole DB |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 10µA @ 800V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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