BYC5D-500,127 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour BYC5D-500,127, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour BYC5D-500,127 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez BYC5D-500,127 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
BYC5D-500,127
- Modèle de produit:
- BYC5D-500,127
- Fabricant:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- La description:
- DIODE GEN PURP 500V 5A TO220AC
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 24009 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- BYC5D-500,127.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Inverse de crête (max): | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 5A |
| Tension - Ventilation: | TO-220AC |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Tube |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | - |
| Polarisation: | TO-220-2 |
| Autres noms: | 1740-1453 568-9771-5 568-9771-5-ND 934065599127 BYC5D-500,127-ND BYC5D-500127 BYC5D500127 |
| Température d'utilisation - Jonction: | 16ns |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Référence fabricant: | BYC5D-500,127 |
| Description élargie: | Diode Standard 500V 5A Through Hole TO-220AC |
| Configuration diode: | 40µA @ 500V |
| La description: | DIODE GEN PURP 500V 5A TO220AC |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 2V @ 5A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 500V |
| Capacité à Vr, F: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes BYC5D-500,127
Latest Nouvelles
- ARM est apparu dans Computex 2024: Il est prévu que plus de 100 milliards d'appareils de bras puissent être utilisés pour l'IA d'ici la fin de 2025
- Qorvo a lancé les préliminaires exceptionnels de l'industrie High-Gain MMIMO de l'industrie
- Inventaire du cycle de simulation Fothing Out, AI Drives La demande de mémoire flash se poursuit
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique