BSP88H6327XTSA1
BSP88H6327XTSA1
Modèle de produit:
BSP88H6327XTSA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 4SOT223
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
57693 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
BSP88H6327XTSA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:1.4V @ 108µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-SOT223-4
Séries:SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6 Ohm @ 350mA, 10V
Dissipation de puissance (max):1.8W (Ta)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:TO-261-4, TO-261AA
Autres noms:BSP88H6327XTSA1CT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:95pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:6.8nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):2.8V, 10V
Tension drain-source (Vdss):240V
Description détaillée:N-Channel 240V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:350mA (Ta)
Email:[email protected]

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