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BSM300D12P2E001
- Modèle de produit:
- BSM300D12P2E001
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- MOSFET 2N-CH 1200V 300A
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 35851 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.BSM300D12P2E001.pdf2.BSM300D12P2E001.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 68mA |
| Package composant fournisseur: | Module |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | - |
| Puissance - Max: | 1875W |
| Emballage: | Tray |
| Package / Boîte: | Module |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 32 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 35000pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| type de FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Fonction FET: | Silicon Carbide (SiC) |
| Tension drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 300A (Tc) 1875W Chassis Mount Module |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 300A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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