BCR35PNE6433HTMA1
BCR35PNE6433HTMA1
Modèle de produit:
BCR35PNE6433HTMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
53742 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
BCR35PNE6433HTMA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:PG-SOT363-6
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):47 kOhms
Résistance - Base (R1):10 kOhms
Puissance - Max:250mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms:BCR 35PN E6433
BCR 35PN E6433-ND
BCR35PNE6433HTMA1TR
BCR35PNE6433XT
SP000010832
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:150MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:70 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):-
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:BCR35PN
Email:[email protected]

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