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AS4C64M16MD1-5BIN
- Modèle de produit:
- AS4C64M16MD1-5BIN
- Fabricant:
- Alliance Memory, Inc.
- La description:
- IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 48891 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- AS4C64M16MD1-5BIN.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 15ns |
| Tension - Alimentation: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| La technologie: | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Package composant fournisseur: | 60-FBGA (8x10) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tray |
| Package / Boîte: | 60-TFBGA |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 1Gb (64M x 16) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | DRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-FBGA (8x10) |
| Fréquence d'horloge: | 200MHz |
| Temps d'accès: | 5ns |
| Email: | [email protected] |
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