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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > APTGT50DA120D1G
APTGT50DA120D1G
Modèle de produit:
APTGT50DA120D1G
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 1200V 75A 270W D1
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
21334 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
APTGT50DA120D1G.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 50A
Package composant fournisseur:D1
Séries:-
Puissance - Max:270W
Package / Boîte:D1
Température de fonctionnement:-
NTC thermistance:No
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:3.6nF @ 25V
Contribution:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
Description détaillée:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 75A 270W Chassis Mount D1
Courant - Collecteur Cutoff (Max):5mA
Courant - Collecteur (Ic) (max):75A
Configuration:Single
Email:[email protected]

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