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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > APTGF660U60D4G
APTGF660U60D4G
Modèle de produit:
APTGF660U60D4G
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 600V 860A 2800W D4
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
36608 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.APTGF660U60D4G.pdf2.APTGF660U60D4G.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.45V @ 15V, 800A
Package composant fournisseur:D4
Séries:-
Puissance - Max:2800W
Package / Boîte:D4
Température de fonctionnement:-
NTC thermistance:No
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:36nF @ 25V
Contribution:Standard
type de IGBT:NPT
Description détaillée:IGBT Module NPT Single 600V 860A 2800W Chassis Mount D4
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):860A
Configuration:Single
Email:[email protected]

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