Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APT20M11JVFR
APT20M11JVFR
APT20M11JVFR
Modèle de produit:
APT20M11JVFR
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
31317 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.APT20M11JVFR.pdf2.APT20M11JVFR.pdf
Enquête

introduction

APT20M11JVFR est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour APT20M11JVFR, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour APT20M11JVFR par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez APT20M11JVFR avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 5mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:ISOTOP®
Séries:POWER MOS V®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max):700W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:27 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:21600pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:180nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):200V
Description détaillée:N-Channel 200V 175A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:175A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes APT20M11JVFR

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
APT20F50B Image APT20F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 Enquête
APT2012P3BT Image APT2012P3BT Kingbright PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD Enquête
APT20M22LVFRG Image APT20M22LVFRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 Enquête
APT20GN60BDQ1G Image APT20GN60BDQ1G Microsemi IGBT 600V 40A 136W TO247 Enquête
APT20F50S Image APT20F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK Enquête
APT20M19JVR Image APT20M19JVR Microsemi MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 Enquête
APT20M22JVRU2 Image APT20M22JVRU2 Microsemi MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 Enquête
APT20M22JVRU3 Image APT20M22JVRU3 Microsemi MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 Enquête
APT20DC120HJ Image APT20DC120HJ Microsemi RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227 Enquête
APT20M11JVR Image APT20M11JVR Microsemi MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 Enquête
APT20GF120BRDQ1G Image APT20GF120BRDQ1G Microsemi IGBT 1200V 36A 200W TO247 Enquête
APT20M22LVRG Image APT20M22LVRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 Enquête
APT20GN60BG Image APT20GN60BG Microsemi IGBT 600V 40A 136W TO247 Enquête
APT20GF120BRG Image APT20GF120BRG Microsemi IGBT 1200V 32A 200W TO247 Enquête
APT20GT60BRDQ1G Image APT20GT60BRDQ1G Microsemi IGBT 600V 43A 174W TO247 Enquête
APT20M120JCU2 Image APT20M120JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 Enquête
APT20M22B2VRG Image APT20M22B2VRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX Enquête
APT20M120JCU3 Image APT20M120JCU3 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 Enquête
APT20GT60BRG Image APT20GT60BRG Microsemi IGBT 600V 43A 174W TO247 Enquête
APT20M22B2VFRG Image APT20M22B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX Enquête

Latest Nouvelles