AON6532P
Modèle de produit:
AON6532P
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET N-CH DFN
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
39358 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
AON6532P.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:710mV @ 1A
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.1 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max):35.5W (Tc)
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1080pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:17.2nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 68A (Tc) 35.5W (Tc) Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:68A (Tc)
Email:[email protected]

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