71V65603S133BGI8 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour 71V65603S133BGI8, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour 71V65603S133BGI8 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez 71V65603S133BGI8 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
71V65603S133BGI8
- Modèle de produit:
- 71V65603S133BGI8
- Fabricant:
- IDT (Integrated Device Technology)
- La description:
- IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Quantité en stock:
- 44708 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 71V65603S133BGI8.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | - |
| Tension - Alimentation: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| La technologie: | SRAM - Synchronous ZBT |
| Package composant fournisseur: | 119-PBGA (14x22) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 119-BGA |
| Autres noms: | IDT71V65603S133BGI8 IDT71V65603S133BGI8-ND |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 9Mb (256K x 36) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | SRAM |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Description détaillée: | SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 119-PBGA (14x22) |
| Fréquence d'horloge: | 133MHz |
| Numéro de pièce de base: | IDT71V65603 |
| Temps d'accès: | 4.2ns |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes 71V65603S133BGI8
Latest Nouvelles
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement
- Vishay lance un emballage minileur à haute luminosité petite LED bleu et vert pur
- Ansonmei a lancé un capteur de position inductif pour le marché industriel et des transports
- Ruisa démarre l'ancienne usine pour augmenter le dispositif d'alimentation, le tremblement de terre affecte la sortie DRAM douce
- Microchip permet la capacité de production du TSMC et augmente les augmentations de prix
- Ruisa a lancé la nouvelle série RA0 Série Ultra -Low Power Entry -vel MCU
- Melexis lance une puce d'interrupteur d'inductivité intégrale complète
- X-FAB introduit la technologie d'éclairage du capteur d'image pour améliorer les performances du capteur CMOS
- La grande usine de puces a été affectée par le tremblement de terre: TSMC a cessé de fonctionner de toute urgence, exacerbant l'alimentation GPU en pénurie?