70V25L35J est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour 70V25L35J, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour 70V25L35J par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez 70V25L35J avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
70V25L35J
- Modèle de produit:
- 70V25L35J
- Fabricant:
- IDT (Integrated Device Technology)
- La description:
- IC SRAM 128K PARALLEL 84PLCC
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Quantité en stock:
- 55726 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.70V25L35J.pdf2.70V25L35J.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 35ns |
| Tension - Alimentation: | 3 V ~ 3.6 V |
| La technologie: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Package composant fournisseur: | 84-PLCC (29.21x29.21) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | 84-LCC (J-Lead) |
| Autres noms: | IDT70V25L35J IDT70V25L35J-ND |
| Température de fonctionnement: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 128Kb (8K x 16) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | SRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Description détaillée: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 128Kb (8K x 16) Parallel 35ns 84-PLCC (29.21x29.21) |
| Numéro de pièce de base: | IDT70V25 |
| Temps d'accès: | 35ns |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes 70V25L35J
Latest Nouvelles
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement
- Vishay lance un emballage minileur à haute luminosité petite LED bleu et vert pur
- Ansonmei a lancé un capteur de position inductif pour le marché industriel et des transports
- Ruisa démarre l'ancienne usine pour augmenter le dispositif d'alimentation, le tremblement de terre affecte la sortie DRAM douce
- Microchip permet la capacité de production du TSMC et augmente les augmentations de prix
- Ruisa a lancé la nouvelle série RA0 Série Ultra -Low Power Entry -vel MCU
- Melexis lance une puce d'interrupteur d'inductivité intégrale complète
- X-FAB introduit la technologie d'éclairage du capteur d'image pour améliorer les performances du capteur CMOS
- La grande usine de puces a été affectée par le tremblement de terre: TSMC a cessé de fonctionner de toute urgence, exacerbant l'alimentation GPU en pénurie?
- La mémoire de Nand Flash continue, le fond du déstockage MCU est correct
- Sous la sortie aérienne de l'IA, les deux principaux géants de la puce sont "pas forts": écraser l'argent pour briser le jeu, parier sur 2025 batailles d'équipe