5LN01SP
5LN01SP
Modèle de produit:
5LN01SP
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 50V 0.1A
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
24260 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
5LN01SP.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:1.3V @ 100µA
Vgs (Max):±10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:3-SPA
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7.8 Ohm @ 50mA, 4V
Dissipation de puissance (max):250mW (Ta)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SC-72
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:6.6pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:1.57nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.5V, 4V
Tension drain-source (Vdss):50V
Description détaillée:N-Channel 50V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Through Hole 3-SPA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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