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2SA1312GRTE85LF
- Modèle de produit:
- 2SA1312GRTE85LF
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 27172 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 2SA1312GRTE85LF.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 120V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Transistor Type: | PNP |
| Package composant fournisseur: | S-Mini |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 150mW |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms: | 2SA1312GRTE85LFCT |
| Température de fonctionnement: | 125°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 100MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount S-Mini |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 2mA, 6V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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