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1N5830
- Modèle de produit:
- 1N5830
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- DIODE SCHOTTKY 25V 25A DO4
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 34614 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.1N5830.pdf2.1N5830.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 580mV @ 25A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 25V |
| Package composant fournisseur: | DO-4 |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Autres noms: | 1N5830GN |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Chassis, Stud Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Schottky |
| Description détaillée: | Diode Schottky 25V 25A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 2mA @ 20V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 25A |
| Capacité à Vr, F: | - |
| Numéro de pièce de base: | 1N5830 |
| Email: | [email protected] |
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