1N5623US
Modèle de produit:
1N5623US
Fabricant:
Microsemi
La description:
DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
25615 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1N5623US.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Inverse de crête (max):Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1A
Tension - Ventilation:D-5A
Séries:-
État RoHS:Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr):Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F:15pF @ 12V, 1MHz
Polarisation:SQ-MELF, A
Température d'utilisation - Jonction:500ns
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:7 Weeks
Référence fabricant:1N5623US
Description élargie:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A
Configuration diode:500nA @ 1000V
La description:DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Courant - fuite, inverse à Vr:1.6V @ 3A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):1000V (1kV)
Capacité à Vr, F:-65°C ~ 175°C
Email:[email protected]

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