1N5407G A0G est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour 1N5407G A0G, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour 1N5407G A0G par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez 1N5407G A0G avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
1N5407G A0G
- Modèle de produit:
- 1N5407G A0G
- Fabricant:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- La description:
- DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 25384 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1N5407G A0G.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1V @ 3A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 800V |
| Package composant fournisseur: | DO-201AD |
| La vitesse: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tape & Box (TB) |
| Package / Boîte: | DO-201AD, Axial |
| Autres noms: | 1N5407G A0GTB 1N5407G A0GTB-ND 1N5407GA0GTB |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Standard |
| Description détaillée: | Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 5µA @ 800V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 3A |
| Capacité à Vr, F: | 25pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes 1N5407G A0G
Latest Nouvelles
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement
- Vishay lance un emballage minileur à haute luminosité petite LED bleu et vert pur
- Ansonmei a lancé un capteur de position inductif pour le marché industriel et des transports
- Ruisa démarre l'ancienne usine pour augmenter le dispositif d'alimentation, le tremblement de terre affecte la sortie DRAM douce
- Microchip permet la capacité de production du TSMC et augmente les augmentations de prix
- Ruisa a lancé la nouvelle série RA0 Série Ultra -Low Power Entry -vel MCU
- Melexis lance une puce d'interrupteur d'inductivité intégrale complète