1N3768
1N3768
Modèle de produit:
1N3768
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
24158 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.1N3768.pdf2.1N3768.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Tension - Inverse de crête (max):Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:35A
Tension - Ventilation:DO-5
Séries:-
État RoHS:Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr):Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F:-
Polarisation:DO-203AB, DO-5, Stud
Autres noms:1242-1025
Type de montage:Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Référence fabricant:1N3768
Description élargie:Diode Standard 1000V (1kV) 35A Chassis, Stud Mount DO-5
Configuration diode:10µA @ 50V
La description:DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5
Courant - fuite, inverse à Vr:1.2V @ 35A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):1000V (1kV)
Capacité à Vr, F:-65°C ~ 190°C
Email:[email protected]

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