ZXMC10A816N8TC
ZXMC10A816N8TC
Número de pieza:
ZXMC10A816N8TC
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
52229 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
ZXMC10A816N8TC.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.4V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SOP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:230 mOhm @ 1A, 10V
Potencia - Max:1.8W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:ZXMC10A816N8DITR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:33 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:497pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:9.2nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción detallada:Mosfet Array N and P-Channel 100V 2A 1.8W Surface Mount 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2A
Email:[email protected]

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