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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > UNR921VJ0L
UNR921VJ0L
UNR921VJ0L
Número de pieza:
UNR921VJ0L
Fabricante:
Panasonic
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
40679 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
UNR921VJ0L.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 1.5mA, 10mA
Tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:SSMini3-F1
Serie:-
Resistor - Base del emisor (R2):2.2 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Potencia - Max:125mW
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:SC-89, SOT-490
Otros nombres:UNR921VJ0LCT
UNR921VJCT
UNR921VJCT-ND
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:150MHz
Descripción detallada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 125mW Surface Mount SSMini3-F1
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:6 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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