THGAF8G9T43BAIR
Número de pieza:
THGAF8G9T43BAIR
Fabricante:
Toshiba Memory America, Inc.
Descripción:
IC FLASH 512G UFS 153VFBGA
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
38881 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
THGAF8G9T43BAIR.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Escribir tiempo de ciclo - Word, Página:-
Suministro de voltaje:2.7 V ~ 3.6 V
Tecnología:FLASH - NAND
Paquete del dispositivo:153-VFBGA (11.5x13)
Serie:Consumer UFS
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:153-VFBGA
Otros nombres:THGAF8G9T43BAIRH2L
Temperatura de funcionamiento:-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memoria:Non-Volatile
Tamaño de la memoria:512Gb (64G x 8)
Interfaz de memoria:UFS
Formato de memoria:FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada:FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) UFS 153-VFBGA (11.5x13)
Email:[email protected]

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