STE139N65M5
STE139N65M5
Número de pieza:
STE139N65M5
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
N-CHANNEL 650 V, 0.014 OHM TYP.,
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
51734 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.STE139N65M5.pdf2.STE139N65M5.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:ISOTOP
Serie:MDmesh™
RDS (Max) @Id, Vgs:17 mOhm @ 65A, 10V
La disipación de energía (máximo):672W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:ISOTOP
Otros nombres:497-16942
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:15600pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:363nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción detallada:N-Channel 650V 130A (Tc) 672W (Tc) Chassis Mount ISOTOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:130A (Tc)
Email:[email protected]

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