SI8819EDB-T2-E1
Número de pieza:
SI8819EDB-T2-E1
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
Cantidad de stock:
55682 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
SI8819EDB-T2-E1.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:900mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:80 mOhm @ 1.5A, 3.7V
La disipación de energía (máximo):900mW (Ta)
Paquete / Cubierta:4-XFBGA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:650pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17nC @ 8V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 3.7V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción detallada:P-Channel 12V 2.9A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.9A (Ta)
Email:[email protected]

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