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SI8275ABD-IM1R
- Número de pieza:
- SI8275ABD-IM1R
- Fabricante:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Descripción:
- DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 53259 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SI8275ABD-IM1R.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Suministro de voltaje: | 4.2 V ~ 30 V |
| Voltaje - Aislamiento: | 2500Vrms |
| Voltaje hacia delante (Vf) (típico): | - |
| Tecnología: | Capacitive Coupling |
| Paquete del dispositivo: | 14-QFN (5x5) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q100 |
| Tiempo de subida / bajada (típico): | 10.5ns, 13.3ns |
| Ancho de pulso Distorsión (máx.): | 8ns |
| Retardo de propagación tpLH / tpHL (Max): | 75ns, 75ns |
| Paquete / Cubierta: | 14-VDFN |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 125°C |
| número de canales: | 2 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 2 Channel 14-QFN (5x5) |
| Corriente - Salida Pico: | 4A |
| Actual - salida alta, bajo: | 1.8A, 4A |
| Inmunidad transitoria en modo común (Min): | 200kV/µs |
| aprobaciones: | CQC, CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
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