SI7102DN-T1-E3 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para SI7102DN-T1-E3, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para SI7102DN-T1-E3 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre SI7102DN-T1-E3 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
SI7102DN-T1-E3
- Número de pieza:
- SI7102DN-T1-E3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 51400 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SI7102DN-T1-E3.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3.8 mOhm @ 15A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | PowerPAK® 1212-8 |
| Otros nombres: | SI7102DN-T1-E3-ND SI7102DN-T1-E3TR |
| Temperatura de funcionamiento: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3720pF @ 6V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 110nC @ 8V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 12V |
| Descripción detallada: | N-Channel 12V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SI7102DN-T1-E3
Latest Noticias
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios