RN2907(T5L,F,T)
RN2907(T5L,F,T)
Número de pieza:
RN2907(T5L,F,T)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
41116 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
RN2907(T5L,F,T).pdf

Introducción

RN2907(T5L,F,T) está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para RN2907(T5L,F,T), tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para RN2907(T5L,F,T) por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre RN2907(T5L,F,T) con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:US6
Serie:-
Resistor - Base del emisor (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):10 kOhms
Potencia - Max:200mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres:RN2907(T5LFT)TR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:200MHz
Descripción detallada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios