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RN2317(TE85L,F)
- Número de pieza:
- RN2317(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 57041 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- RN2317(TE85L,F).pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo de transistor: | PNP - Pre-Biased |
| Paquete del dispositivo: | USM |
| Serie: | - |
| Resistor - Base del emisor (R2): | 4.7 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 10 kOhms |
| Potencia - Max: | 100mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SC-70, SOT-323 |
| Otros nombres: | RN2317(TE85LF) RN2317(TE85LF)-ND RN2317(TE85LF)TR RN2317TE85LF |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición: | 200MHz |
| Descripción detallada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 10mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 500nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 100mA |
| Número de pieza base: | RN231* |
| Email: | [email protected] |
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