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RN2112ACT(TPL3)
- Número de pieza:
- RN2112ACT(TPL3)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 30749 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- RN2112ACT(TPL3).pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 80mA |
| Tensión - Desglose: | CST3 |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 50V |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms): | 22k |
| Resistencia - Base (R1) (Ohms): | - |
| Potencia - Max: | 100mW |
| Polarización: | SC-101, SOT-883 |
| Otros nombres: | RN2112ACT(TPL3)TR |
| La figura de ruido (dB Typ @ f): | - |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | RN2112ACT(TPL3) |
| Frecuencia - Transición: | 120 @ 1mA, 5V |
| Descripción ampliada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3 |
| Descripción: | TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100nA (ICBO) |
| Corriente - corte del colector (Max): | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | PNP - Pre-Biased |
| Email: | [email protected] |
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