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RFP4N100
- Número de pieza:
- RFP4N100
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 1KV 4.3A TO-220AB
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 38904 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- RFP4N100.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-220AB |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3.5 Ohm @ 2.5A, 10V |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 120nC @ 20V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1000V |
| Descripción detallada: | N-Channel 1000V 4.3A (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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