QS8J5TR
QS8J5TR
Número de pieza:
QS8J5TR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
55267 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.QS8J5TR.pdf2.QS8J5TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo:TSMT8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:39 mOhm @ 5A, 10V
Potencia - Max:600mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:19nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A 600mW Surface Mount TSMT8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5A
Email:[email protected]

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