QS5U23TR
QS5U23TR
Número de pieza:
QS5U23TR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
57060 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.QS5U23TR.pdf2.QS5U23TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TSMT5
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:200 mOhm @ 1.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.25W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:325pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4.2nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:P-Channel 20V 1.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT5
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.5A (Ta)
Email:[email protected]

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