PC28F512M29EWHE TR está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para PC28F512M29EWHE TR, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para PC28F512M29EWHE TR por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre PC28F512M29EWHE TR con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
PC28F512M29EWHE TR
- Número de pieza:
- PC28F512M29EWHE TR
- Fabricante:
- Micron Technology
- Descripción:
- IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 43884 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- PC28F512M29EWHE TR.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 100ns |
| Suministro de voltaje: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnología: | FLASH - NOR |
| Paquete del dispositivo: | 64-FBGA (11x13) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 64-LBGA |
| Otros nombres: | PC28F512M29EWHE TR-ND PC28F512M29EWHETR |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 512Mb (64M x 8, 32M x 16) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | FLASH |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8, 32M x 16) Parallel 100ns 64-FBGA (11x13) |
| Número de pieza base: | PC28F512M29 |
| Tiempo de acceso: | 100ns |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de PC28F512M29EWHE TR
Latest Noticias
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lanza un chip de interruptor inductor integrado completo
- X-FAB presenta la tecnología de iluminación del sensor de imágenes para mejorar el rendimiento del sensor CMOS
- La gran fábrica de chips se vio afectada por el terremoto: ¿TSMC dejó de funcionar con urgencia, exacerbando el suministro de GPU en escasez de suministro?
- La memoria flash nand continúa, MCU Destocking Bottom es correcto
- Debajo de la salida aérea de AI, los dos gigantes de chips principales son "no fuertes": destrozar el dinero para romper el juego, apostar en 2025 batallas de equipo