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NSV40302PDR2G
- Número de pieza:
- NSV40302PDR2G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 46679 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- NSV40302PDR2G.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 40V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 115mV @ 200mA, 2A |
| Tipo de transistor: | NPN, PNP |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 653mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | NSV40302PDR2G-ND NSV40302PDR2GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición: | 100MHz |
| Descripción detallada: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 180 @ 1A, 2V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 3A |
| Email: | [email protected] |
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