MTP3055V
MTP3055V
Número de pieza:
MTP3055V
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 12A TO-220AB
Estado sin plomo:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad de stock:
37854 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
MTP3055V.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:150 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo):48W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:MTP3055VFS
MTP3055VFS-ND
MTP3055VOS
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:N-Channel 60V 12A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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