MT47H64M16HR-3:E TR está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para MT47H64M16HR-3:E TR, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para MT47H64M16HR-3:E TR por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre MT47H64M16HR-3:E TR con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
MT47H64M16HR-3:E TR
- Número de pieza:
- MT47H64M16HR-3:E TR
- Fabricante:
- Micron Technology
- Descripción:
- IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 27058 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- MT47H64M16HR-3:E TR.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 15ns |
| Suministro de voltaje: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Tecnología: | SDRAM - DDR2 |
| Paquete del dispositivo: | 84-FBGA (8x12.5) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 84-TFBGA |
| Otros nombres: | 557-1341-2 |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 1Gb (64M x 16) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 333MHz 450ps 84-FBGA (8x12.5) |
| Frecuencia de reloj: | 333MHz |
| Número de pieza base: | MT47H64M16 |
| Tiempo de acceso: | 450ps |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de MT47H64M16HR-3:E TR
Latest Noticias
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lanza un chip de interruptor inductor integrado completo
- X-FAB presenta la tecnología de iluminación del sensor de imágenes para mejorar el rendimiento del sensor CMOS