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MBRT200150R
- Número de pieza:
- MBRT200150R
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 55312 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- MBRT200150R.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Schottky |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1 Pair Common Anode |
| Tensión - Desglose: | Three Tower |
| Velocidad: | 100A |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Polarización: | Three Tower |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 4 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | MBRT200150R |
| Descripción ampliada: | Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 150V 100A Chassis Mount Three Tower |
| configuración de diodo: | 1mA @ 150V |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 880mV @ 100A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 150V |
| Capacitancia Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
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